[KR] 고분자 마스크를 이용한 패턴 형성 방법(Method for forming pattern using polymer mask)
- 국가/구분 KR/특허
- 해외특허
- 출원번호/일자 10-2015-0120155 / 2015-08-26
- 등록번호/일자 10-1739291 / 2017-05-18
발명자
이경진 , 신재원
출원인
충남대학교산학협력단
초록
고가의 화학기상증착(Chemical Vapor Deposition, CVD) 장비를 사용하지 않고, 패턴을 형성할 수 있는 방법이 제공된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 고분자 마스크를 이용한 패턴 형성 방법 은, 기판을 제공하는 단계와, 상기 기판 상에 베이스 필름을 형성하는 단계와, 상기 베이스 필름 상에 패턴이 형성된 마스크 필름을 형성하는 단계와, 상기 패턴을 상기 베이스 필름상에 전사시키는 단계와, 상기 마스크 필름을 제거하는 단계를 포함할 수 있다.